机译:包含Al_xGa_(1-x)N / GaN量子盘的单根GaN纳米线的光致发光偏振特性
Institut d'Electronique Fondamentale, University of Paris-Sud XI, UMR 8622 CNRS, 91405 Orsay, France;
rnInstitut d'Electronique Fondamentale, University of Paris-Sud XI, UMR 8622 CNRS, 91405 Orsay, France;
rnInstitut d'Electronique Fondamentale, University of Paris-Sud XI, UMR 8622 CNRS, 91405 Orsay, France;
rnInstitut d'Electronique Fondamentale, University of Paris-Sud XI, UMR 8622 CNRS, 91405 Orsay, France;
rnInstitut d'Electronique Fondamentale, University of Paris-Sud XI, UMR 8622 CNRS, 91405 Orsay, France;
Walter-Schottky-Institut, Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, Germany;
rnWalter-Schottky-Institut, Technische Universitaet Muenchen, Am Coulombwall 3, 85748 Garching, Germany;
rnI. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universitaet, Heinrich-Buff-Ring 16, 35392 Giessen, Germany;
rnCEA-CNRS Group 'Nanophysique et Semiconducteurs,' Institut Neel, 25 Rue des Martyrs, 38042/38054 Grenoble Cedex 9, France;
Centre de Spectroscopie Nucleaire et Spectroscopie de Masse, University of Paris-Sud XI, UMR 8609 CNRS,91405 Orsay, France;
semiconductors; Ⅲ-Ⅴ semiconductors;
机译:使用光致发光光谱法测量单个GaN / Al_xGa_(1-x)N纳米线-量子点中激子旋转的旋转:相干控制的证据
机译:低Al含量的Al_xGa_(1-x)GaN纳米线量子盘中能量分散的起源
机译:Al_xGa_(1-x)N厚度对调制掺杂的Al_xGa_(1-x)N / GaN单异质结构中二维电子气输运性质的影响
机译:Al_xGa_(1-x)N / GaN单量子阱中压电极化的光致发光研究
机译:GaN纳米线制造和单光子发射器装置应用的蚀刻工艺
机译:GaN核和InGaN / GaN多重外延生长导热铍上的量子阱核/壳纳米线氧化物基板
机译:具有GaN / AlGaN多层量子盘的单个GaN纳米棒的光致发光特性