...
机译:GaP,GaN,AlN,BN,ZnO和BeO中阳离子空位的高自旋状态:第一性原理
Institute of Physics PAS, aleja Lotnikow 32/46, PL-02-668 Warsaw, Poland;
Institute of Physics PAS, aleja Lotnikow 32/46, PL-02-668 Warsaw, Poland ,Institute of Physics, University of Bydgoszcz, Weyssenhoffa 11, PL-85-072 Bydgoszcz, Poland;
impurity and defect levels; semiconductor compounds; level splitting and interactions;
机译:ZnO中O空位的第一性原理计算:一种自洽的间隙校正方法
机译:C-6v(4)-P6(3)mc空间群的半导体的散射张量:GaN,ZnO,CdS,ZnS和BeO
机译:一氧化碳吸附在原始的,C掺杂的和N空位缺陷的六角形A1N纳米片上的第一性原理研究
机译:从一致原则的紫立岩结构中GaN,A1N,MgO和ZnO的电致伸缩COEF CI ents
机译:GaN,ZnO和(GaN)1-x(ZnO)x的结构,电子和光学性质的第一性原理研究。
机译:掺杂钇的ZnO单层空位的电子结构和光学性质的第一性原理计算
机译:Gap,GaN,alN,BN,ZnO和BeO中阳离子空位的高自旋态: 第一原则研究
机译:Er掺杂大带隙半导体GaN和ZnO中的光学增益