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机译:GaAs_(1-x)N_x和GaSb_(1-x)N_x合金能带结构的混合功能研究
Department of Applied Physics, Aalto University, P.O. Box 11100, FI-00076 Aalto, Finland;
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semiconductor compounds; Ⅲ-Ⅴ semiconductors; density functional theory, local density approximation, gradient and other corrections;
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机译:GaAs1-xNx和GaSb1-xNx合金能带结构的混合功能研究