...
机译:基于HfO_2的超薄忆阻开关器件的氧调制量子电导
Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Lemont, Illinois 60439, USA;
National Physical Laboratory, Teddington, TW11 1LW, United Kingdom;
Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Lemont, Illinois 60439, USA;
Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Lemont, Illinois 60439, USA,Northwestern-Argonne Institute for Science and Engineering, Northwestern University, 2145 Sheridan Rd., Evanston, Illinois 60208, USA;
机译:基于超薄HfO2的忆阻开关器件的氧调制量子电导
机译:氧气工程化基于HfOx的忆阻器件的开关模式和电导量化控制
机译:基于石墨烯量子点纳米复合材料的1D-1R忆阻器件的高度稳定的写入一次读取数量切换行为
机译:模拟突触设备应用中基于HfOx的忆阻器件的逐步电导开关行为的整体限制效应
机译:基于HFO2的RERAM的表征与MIM类存储装置的物理学型号的开发
机译:基于石墨烯量子点纳米复合材料的一维至一维忆阻器件高度稳定的一次写入多次读取切换行为
机译:氧气调制量子电导为超薄HfO $ _2 $为基础 忆阻开关设备