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用于纳电子器件的超薄氮氧硅薄膜的软失效电导

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本文研究了2.5nm超薄氮氧硅薄膜的软击穿电导特性.统计实验结果表明,软失效电导和软失效时间与环境温度之间均遵从Arrhenius规则,而且软失效电导和软失效时间遵从一个反对称的规律.它们源于同一个应力诱生缺陷导电机制.

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来源
《第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议》|2004年|397-400|共4页
会议地点大连
作者
许铭真; 谭长华; 何燕冬; 段小蓉;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类化合物半导体;
关键词
氮氧硅薄膜; 软失效电导; 软失效时间; 缺陷导电;

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