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一种基于a-TSC:O陶瓷薄膜的忆阻开关器件及其制备方法

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一种基于a‑TSC:O陶瓷薄膜的忆阻开关器件及其制备方法，属于光电器件技术领域。本发明在传统忆阻开关器件结构的基础上，创新提出“a‑TSC:O薄膜/a‑SiO

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1. 一种基于a-TSC:O陶瓷薄膜的忆阻开关器件及其制备方法 [P] . 中国专利： CN108950507B . 2020.03.17
2. 一种基于a-TSC:O陶瓷薄膜的忆阻开关器件及其制备方法 [P] . 中国专利： CN108950507A . 2018-12-07
3. Memristive neuromorphic circuit and method for training the memristive neuromorphic circuit [P] . 美国专利： US10332004B2 . 2019-06-25

机译：忆阻性神经形态电路和训练忆阻性神经形态电路的方法
4. Memristive neuromorphic circuit and method for training the memristive neuromorphic circuit [P] . 美国专利： US10074050B2 . 2018-09-11

机译：忆阻性神经形态电路和训练忆阻性神经形态电路的方法
5. Method for forming memristor material and electrode structure with memristance [P] . 美国专利： US7846807B2 . 2010-12-07

机译：忆阻材料的形成方法及具有忆阻作用的电极结构