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Conductance fluctuations and disorder induced v = 0 quantum Hall plateau in topological insulator nanowires

机译:拓扑绝缘体纳米线中的电导涨落和无序诱发v = 0量子霍尔平台。

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摘要

Clean topological insulators exposed to a magnetic field develop Landau levels accompanied by a nonzero Hall conductivity for the infinite slab geometry. In this work we consider the case of disordered topological insulator nanowires and find, in contrast, that a zero Hall plateau emerges within a broad energy window close to the Dirac point. We numerically calculate the conductance and its distribution for a statistical ensemble of disordered nanowires, and use the conductance fluctuations to study the dependence of the insulating phase on system parameters, such as the nanowire length, disorder strength, and the magnetic field.
机译:暴露于磁场中的干净拓扑绝缘子会形成Landau能级,并伴随无限的平板几何形状的非零霍尔电导率。在这项工作中,我们考虑了无序拓扑绝缘体纳米线的情况,相反,发现在接近狄拉克点的宽能量窗内出现了零霍尔高原。我们通过数值计算无序纳米线统计集合的电导及其分布,并使用电导波动研究绝缘相对系统参数(如纳米线长度,无序强度和磁场)的依赖性。

著录项

  • 来源
    《Physical Review. B, Condensed Matter》 |2017年第3期|035415.1-035415.7|共7页
  • 作者单位

    Max-Planck-Institut fuer Physik komplexer Systeme, 01187 Dresden, Germany;

    Max-Planck-Institut fuer Physik komplexer Systeme, 01187 Dresden, Germany;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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