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公开/公告号CN108447981B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-28
原文格式PDF
申请/专利权人 清华大学;
申请/专利号CN201810113605.X
发明设计人 何珂;姜高源;薛其坤;
申请日2018-02-05
分类号H01L43/06(20060101);H01L43/04(20060101);H01L43/14(20060101);
代理机构11606 北京华进京联知识产权代理有限公司;
代理人王赛
地址 100084 北京市海淀区清华园1号
入库时间 2022-08-23 11:23:07
机译: 双通道拓扑绝缘体结构,制备方法和产生量子自旋霍尔效应的方法
机译: 具有磁掺杂拓扑绝缘体量子阱膜的拓扑绝缘体结构
机译: 包含在纳米粒子中的拓扑量子框架复合阳极活性材料,其包含嵌入在纳米球体阳极锂电池半导体中的拓扑量子框架以及包含嵌入在纳米球体中的拓扑量子框架的器件及其制备方法
机译:从进动磁化到石墨烯基二维拓扑绝缘体中的自旋泵浦产生的逆量子自旋霍尔效应
机译:三维拓扑绝缘体中的表面台阶缺陷:自旋和量子自旋霍尔效应的电操纵
机译:反铁磁拓扑绝缘子中的铰接量子自旋霍尔效应
机译:二维拓扑绝缘体中的量子自旋霍尔效应
机译:磁性拓扑绝缘体和量子异常霍尔效应。
机译:量子自旋霍尔绝缘体中拓扑缺陷的凝聚所产生的超导性
机译:反自旋泵浦产生的反量子自旋霍尔效应 将磁化强度转化为基于石墨烯的二维拓扑结构 绝缘子
机译:分数量子霍尔效应中的自旋反转准粒子 - 多体方法