首页> 中国专利> 双通道拓扑绝缘体结构、制备方法及产生量子自旋霍尔效应的方法

双通道拓扑绝缘体结构、制备方法及产生量子自旋霍尔效应的方法

摘要

本发明共公开了一种双通道拓扑绝缘体结构,包括:绝缘基底、第一拓扑绝缘体量子阱薄膜、绝缘间隔层和第二拓扑绝缘体量子阱薄膜,所述第一拓扑绝缘体量子阱薄膜、所述绝缘间隔层和所述第二拓扑绝缘体量子阱薄膜在所述绝缘基底上依次叠加,所述绝缘间隔层将所述第一拓扑绝缘体量子阱薄膜和所述第二拓扑绝缘体量子阱薄膜间隔。本发明还公开了一种双通道拓扑绝缘体结构制备方法及一种产生量子自旋霍尔效应的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN108447981B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN201810113605.X

  • 发明设计人 何珂;姜高源;薛其坤;

    申请日2018-02-05

  • 分类号H01L43/06(20060101);H01L43/04(20060101);H01L43/14(20060101);

  • 代理机构11606 北京华进京联知识产权代理有限公司;

  • 代理人王赛

  • 地址 100084 北京市海淀区清华园1号

  • 入库时间 2022-08-23 11:23:07

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号