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机译:在六边形氮化物中封装的单层MOSE_2的大兴奋反射率
Harvard Univ Dept Phys Cambridge MA 02138 USA;
Harvard Univ Dept Phys Cambridge MA 02138 USA|Harvard Univ Dept Chem & Chem Biol Cambridge MA 02138 USA;
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Natl Inst Mat Sci 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki 3050044 Japan;
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机译:六方氮化硼封装的MoSe_2双栅场效应晶体管的电性能和低频噪声
机译:通过分子束外延在六方氮化硼上生长的过渡金属二甲酰亚甲基单层的狭长的兴奋线和大规模均匀性
机译:六方氮化硼外延MS2(M = Mo和W)单层中的本征激子发射和谷Zeeman分裂
机译:Mote_2单层中的晶体质量降解通过热退火及其六边形氮化硼包封抑制
机译:金属绝缘体 - 金属装置的单层六边形氮化硼膜的分子束外延生长
机译:太赫兹时域光谱法测量不同衬底上单层六方氮化硼的光电性能
机译:通过热处理减少六边形氮化硼氮化物氮化物氮化物的Mote2单层的不均匀膨胀