...
机译:设计与MoS_2单层的电接触:一项计算研究
School of Physics and CRANN, Trinity College, Dublin 2, Ireland;
Physikalische Chemie, Technische Universitaet Dresden, D-01062 Dresden, Germany;
Physics and Astronomy Department, Michigan State University, East Lansing, Michigan 48824-2320, USA;
metal-nonmetal contacts; surface states, band structure, electron density of states; electronic structure of nanoscale materials: clusters, nanoparticles, nanotubes, and nanocrystals; other semiconductors;
机译:单层MoS2及其电触头中的硫空位
机译:Mo,Nb和W与单层MoS_2的界面性质的比较研究
机译:具有MoS_2 /石墨烯异质结接触的多层MoS_2 FET的电学特性
机译:单层MOS_2 / SI异质结的电接触性能研究
机译:金属分子 - 金属系统电触头电荷运输机制的AFM研究
机译:在考古遗址中加强与商业聚合物的电气接触在考古地点进行电阻率断层扫描:一个案例研究
机译:为mos $ _2 $单层设计电触点:计算 研究
机译:贵金属电接触合金振荡板上磨损研究中硫的表面偏析:I。摩擦和电接触电阻