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机译:评论“超导KC_8和非超导LiC_6石墨插层化合物的电子结构:石墨烯片驱动超导状态的证据”
IMPMC, Universite Paris 6 CNRS, 4 Place Jussieu, 7504 Paris, France;
Institut Neel CNRS/UJF, 25 rue des Martyrs BP 166 Batiment D, F-38042 Grenoble cedex 9, France;
SPIN-CNR-Dipartmento di Fisica Universita degli Studi di L'Aquila 67100 L'Aquila, Italy;
IMPMC, Universite Paris 6 CNRS, 4 Place Jussieu, 7504 Paris, France;
phonons; fermi surface: calculations and measurements; effective mass, G factor; occurrence, potential candidates;
机译:超导KC_8和非超导LiC_6石墨插层化合物的电子结构:石墨烯片驱动超导状态的证据
机译:Ca嵌入超导石墨CaC6的电子结构
机译:利用Ca K边缘的极化X射线吸收近边缘结构,超导CaC_6和相关的Li-Ca三元石墨插层化合物中的空态性质
机译:各种石墨嵌段化合物对其电子结构的摩擦学性质的相关性。
机译:石墨插层化合物C8K和C4nKHx的电子结构
机译:分裂双金属插层石墨超导体表面的光电子全息原子排列成像。
机译:评论“超导KC8和非超导LiC6石墨插层化合物的电子结构:石墨烯片驱动超导状态的证据”
机译:阶段-1碱金属 - 石墨插层化合物RbC sub 8和CsC sub 8的高压超导行为