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机译:van der Waals磷和石墨烯的异质结构:通过静电门控调整肖特基势垒和掺杂
Instituto de Fisica, Universidade de Sao Paulo, CP 66318, 05315-970, Sao Paulo, SP, Brazil;
Instituto de Fisica, Universidade de Sao Paulo, CP 66318, 05315-970, Sao Paulo, SP, Brazil;
Instituto de Fisica, Universidade de Sao Paulo, CP 66318, 05315-970, Sao Paulo, SP, Brazil,Laboratorio Nacional de Luz Sincrotron, CP 6192, 13083-970, Campinas, SP, Brazil;
surface double layers, schottky barriers, and work functions; multilayers, superlattices, heterostructures;
机译:范德沃尔斯石墨烯/ G-Gase异质结构:通过层间耦合,双轴应变和电动门控调整电子性能和肖特基屏障
机译:在石墨烯/单层屏幕 - GEI2 van der Waves异质结构调整肖特基势垒高度
机译:偶极控制肖特基屏障在基于GEES的VAN DER WAALS异质结构的蓝磷醛阶段
机译:通过外部电场调整硼酮/ MOS_2 van der Wavs异质结构的肖特基障碍
机译:范德沃尔斯异质结构装置:从单层石墨烯到扭曲的双层石墨烯
机译:石墨烯/类石墨烯碳化锗范德华异质结构中的可调肖特基势垒
机译:石墨烯/石墨烯锗碳化物van der waals异质结构的可调肖氏屏障