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【24h】

Size-Dependent Insulator-to-Metal and Metal-to-Insulator Phase Transitions in VO_2 Microrods Grown on a Silicon Substrate

机译:在硅衬底上生长的VO_2 MICROROD中的尺寸依赖绝缘体与金属和金属到绝缘子转换

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摘要

Light scattering from VO_2 microrods (MRs) synthesized on a silicon substrateis studied as a function of temperature and wavelength through the insulatorto-metal (IMT) and the metal-to-insulator (MIT) transitions. Light scatteringexhibits substantial and reproducible changes. By focusing the light onindividual MRs, it is shown that for small-sized MRs (<1 × 10 μm), the IMTand MIT are very sharp with transition temperatures varying within 31–64 °C(IMT) and within 58–76 °C (MIT). In contrast, for large-sized MRs(≈4 × 40 μm), only the IMT at 68 C is sharp, whereas MIT is stretched with aprominent low-temperature shoulder at 35–50 °C. The observed phenomenaare assumed to be connected with the external substrate-induced mechanicalstress emerging during the phase transition. A simple model is developed toexplain both the temperature-stretched MIT and the low-temperatureshoulder.
机译:从硅衬底合成的VO_2 MICRORODS(MRS)的光散射 作为温度和波长的函数通过Insulatorto研究 - 金属(IMT)和金属到绝缘体(MIT)过渡。 光散射 表现出实质性和可重复的变化。 通过将灯光聚焦 个人MRS,表明对于小型MRS(<1×10μm),IMT 并且麻省理工学院非常锐,过渡温度在31-64°C范围内变化 (IMT)和58-76°C(麻省理工学院)。 相比之下,对于大尺寸的MRS (≈4×40μm),只有68℃的IMT是尖锐的,而麻省理工学院用A伸展 显着的低温肩部,35-50°C。 观察到的现象 假设与外部基板引起的机械连接 相位过渡期间的应力出现。 开发了一个简单的模型 解释温度拉伸的麻省理工学院和低温 肩膀。

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