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机译:CVD生长的3C-SiC层的缺陷形态和应变:碳化过程的影响
Departamento de Ciencia de los Materiales e IM y QI, Universidad de Cadiz, 11510 Puerto Real, Spain;
mechanical properties; surface strains; transmission electron microscopy (TEM) (including STEM, HRTEM, etc.); defects and impurities: doping, implantation, distribution, concentration, etc.; other semiconductors;
机译:使用衬底缺陷工程技术通过MOCVD减少在Si衬底上生长的GaN层中的应变和位错缺陷
机译:使用CVD生长的3C-SiC种子层通过VLS传输在硅衬底上外延生长3C-SiC
机译:表面粗糙度和界面层对V-CVD生长的3C-SiC / Si(100)外延层的红外光谱的影响
机译:基于APCVD的碳化工艺在(100)硅衬底上生长的3C-SiC薄膜的微观结构和表面形态
机译:在4H-碳化硅PVT生长的块状晶体,CVD生长的外延层和器件中的缺陷研究。
机译:原子尺度下应用应变下CVD生长的几层MoS2结构中波纹的起源
机译:通过使用缓冲层和添加甲基三氯硅烷获得的3C-SiC / Si层的缺陷结构和应变降低