机译:使用垂直排列的Al:ZnO纳米线的紫外(UV)光电二极管的高速光响应特性
Optoelectronic Materials and Devices Lab, Department of Physics, National Institute of Technology, Tiruchirappalli, Tamil Nadu, India;
Optoelectronic Materials and Devices Lab, Department of Physics, National Institute of Technology, Tiruchirappalli, Tamil Nadu, India;
defects; nanowires; photodiodes; quantum efficiency; ultraviolet; ZnO;
机译:垂直排列的ZnO纳米线的生长,调制和光响应特性
机译:GaN缓冲蓝宝石衬底上垂直良好排列的外延ZnO纳米棒的合成,电学和光响应特性
机译:准对准的ZnO纳米线/ p-Si异质结的电和紫外光响应特性
机译:垂直排列的ZnO纳米线的光响应特性
机译:垂直排列的纳米线阵列的合成和表征,作为用于醇氧化反应的高性能电催化剂。
机译:快速热退火垂直排列的ZnO纳米线增强的UV光敏性
机译:快速热退火垂直排列的ZnO纳米线增强的UV光敏性
机译:双层金属催化剂生长垂直排列的ZnO纳米线阵列。