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机译:高分辨率卢瑟福背散射光谱法在生长后热退火过程中InGaN超薄膜中In原子的扩散
Yamaguchi University, 2-16-1, Tokiwadai, Ube, Yamaguchi 755-8611, Japan;
diffusion of impurities; III-V semiconductors; molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy; rutherford backscattering (RBS), and other methods of chemical analysis;
机译:高分辨率卢瑟福反向散射光谱法测定InGaN混合膜中In含量的厚度依赖性
机译:各种阱宽的生长后热退火InGaN / GaN量子阱结构的微观结构研究
机译:卢瑟福正向散射和弹性反冲检测(RFSERD)作为表征超薄膜的方法
机译:InGaN / GaN量子阱的生长后热退火形成量子点
机译:生长后退火的ZnSnN 2薄膜的沉积和表征。
机译:通过生长后退火改善晶片级六方氮化硼薄膜的结构和光学性能
机译:Effect of non-vacuum thermal annealing on high indium content InGaN films deposited by pulsed laser deposition