机译:高n型掺杂与高p型掺杂6H-SiC本体生长过程中基面位错的演化和稳定性
Department of Materials Science 6, University of Erlangen-Nuernberg, Martenstr. 7, 91058 Erlangen, Germany;
linear defects: dislocations; disclinations; doping and impurity implantation in other materials; surface cleaning; etching; patterning;
机译:在6H-SiC衬底上的高掺杂p型3C-SiC
机译:高掺杂n型和p型6H-SiC压敏电阻的特性
机译:检测在高度掺杂的脱嘴中转化的基底平面脱位
机译:基底平面脱位在高度n型掺杂的散装掺杂期间的进化和稳定性高于P型掺杂6H-SiC
机译:磷掺杂的n型和氢掺杂的p型CVD金刚石薄膜的光电研究。
机译:通过钠掺杂的高导电p型Mapbi3薄膜和晶体
机译:采用高掺杂衬底的siC升华外延中的p型和n型掺杂
机译:分子氮中脉冲激光烧蚀制备高掺杂p型ZnTe薄膜