机译:使用AlGaN双异质结限制的AlGaN / GaN HEMT穿通电压增强缩放
Ferdinand-Braun-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany;
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Ⅲ-Ⅴ semiconductor-to-semiconductor contacts; p-n junctions; and heterojunctions; Ⅲ-Ⅴ semiconductors; semiconductor-device characterization; design; and modeling; field effect devices;
机译:使用AlGaN双异质结限制来增强AlGaN / GaN HEMT的穿通电压
机译:击穿电压提高的AlGaN / GaN / AlGaN双异质结HEMT的特性
机译:氨MBE生长的双异质结AlGaN / GaN / AlGaN HEMT异质结构的光致发光,受激发射,光反射和2DEG特性的研究
机译:单(AlGaN / GaN)和双(AlGaN / GaN / AlGaN)异质增强模式Hemts的研究
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压