机译:具有低阈值和压缩应变的MQW有源层的650 nm GaInP / AlGaInP激光二极管
Shandong University, Jinan 250100,China;
机译:具有应变补偿MQW有源层的低阈值650 nm波段实际折射率引导的AlGaInP激光二极管
机译:使用拉伸应变GaInAsP / AlGaInP MQW的低阈值650 nm波段S / sup 3 /激光二极管
机译:低阈值应变层GaInP / AlGaInP GRINSCH可见二极管激光器
机译:650 nm激光二极管的压缩应变GaInP / AlGaInP金属复合结构
机译:1.55 um铝镓铟砷应变MQW激光二极管。
机译:金-姜黄素纳米结构在乳腺癌细胞系光热疗法中的应用:以650和808 nm二极管激光器为光源
机译:应变层GaInp / alGaInp激光二极管中的能级对准:压力 - 光致发光实验的模型固体理论分析
机译:具有GaInp包层和质量传输埋层异质结构的低阈值InGaas应变层量子阱激光器(λ= 0.98微米)