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机译:镧掺杂对雾化器喷雾热解法涂覆FTO薄膜物理特性的影响
Arul Anandar Coll PG & Res Dept Phys Madurai Tamil Nadu India;
NMSSVN Coll PG & Res Dept Phys Madurai Tamil Nadu India;
King Khalid Univ Fac Sci Dept Phys POB 9004 Abha Saudi Arabia;
King Khalid Univ Res Ctr Adv Mat Sci POB 9004 Abha 61413 Saudi Arabia|Ain Shams Univ Fac Educ Phys Dept Met Lab NLEBA Semicond Lab Cairo 11757 Egypt;
Optoelectronic device; Carrier concentration; Lanthanum doping; FTO thin film; Photoluminescence study;
机译:雾化喷雾热解技术对退火温度对掺锡CdO薄膜物理性能的影响
机译:退火温度对雾化喷雾热解技术对Sn掺杂CDO薄膜物理性质的影响
机译:稀土金属(GD3 +)掺杂SnO(2)薄膜的物理性质通过简化喷雾热解技术使用雾化器制备
机译:喷雾热解技术沉积温度对氟掺杂氧化锡(FTO)薄膜表面形态和电性能的影响
机译:磁控共溅射沉积组成梯度锶锶镧锰矿薄膜的综合研究。
机译:超声喷涂热解氟掺杂氧化锡薄膜的纳米力学和材料性能:F掺杂的影响
机译:雾化喷雾热解法研究衬底温度对(111)取向CdIn2s4薄膜物理性质的影响