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机译:两波长激发光致发光显示未掺杂GaN中的黄色发光带
Saitama Univ Dept Funct Mat Sci Sakura Ku 255 Shimo Okubo Saitama 3388570 Japan|Rajshahi Univ Dept Appl Phys & Elect Engn Rajshahi 6205 Bangladesh;
Saitama Univ Dept Funct Mat Sci Sakura Ku 255 Shimo Okubo Saitama 3388570 Japan;
Univ Tokyo Inst Ind Sci Meguro Ku 4-6-1 Komaba Tokyo 1538505 Japan;
GaN; Yellow luminescence; Photoluminescence; TWEPL; Below-gap excitation;
机译:两波长激发光致发光显示未掺杂GaN中的黄色发光带
机译:通过两波长激发光致发光在未掺杂的GaN中分配黄色发光带的直接证据
机译:两波长激发光致发光从GaPN中带能级激发载流子的直接证据
机译:两波长激发光致发光揭示的GaN中黄色发光相关态的极慢弛豫过程
机译:碲化汞-碲化镉超晶格和砷化镓的红外光学研究(光致发光,双受主,拉曼散射,激发态,发光)。
机译:未掺杂GaN中的两个黄色发光带
机译:碳缺陷是未掺杂GaN中绿色和黄色发光带的来源