机译:直接带隙硅纳米线雪崩传输时间THz光电传感器,具有应变工程
Department of Electronics and Electrical Communication Engineering Adamas University Kolkata 700126 India;
Department of Physics Adamas University Kolkata 700126 India;
Si-NW; Planar ATT device; Thz opto-electronics; Quantum drift-diffusion model; Non-linear impedance profile; Strain and band gap engineering;
机译:氮化镓双漂移区混合隧穿雪崩渡越时间二极管在F,Y和THz波段中的应用前景
机译:磷吸附的<112>硅纳米线的间接至直接带隙跃迁
机译:带隙调制和间接到ZnS / Si和Si / ZnS核心/壳纳米线中的带隙转换
机译:在D频段工作的<0001>方向和<11–20>方向4H-SiC冲击雪崩渡越时间器件的比较研究
机译:具有可调直接带隙的新型锡锗硅半导体的合成。
机译:直接带隙纤锌矿磷化镓纳米线
机译:纤锌矿Gaas中工程直接 - 间接带隙转变 纳米线通过尺寸和单轴应变