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机译:抑制有源层曲率变化,提高GaN基激光二极管结构的结晶度和发光度
Beijing Univ Technol, Inst Laser Engn, 100 Ping Le Yuan, Beijing 100124, Peoples R China;
InGaN; GaN MQWs; Laser diode structure; Curvature variation; Same-temperature deposition;
机译:使用图案化的激光剥离工艺和电镀镍层制造垂直结构的GaN基发光二极管
机译:GaN基紫激光二极管中GaN / AlGaN应变层超结构的高分辨率扫描电子显微镜观察
机译:在InGaN / GaN基发光二极管芯片的表面上使用A1_2O_3钝化层提高亮度
机译:夹层GaN / AlGaN / GaN下量子势垒对不对称GaN基大功率激光二极管的结晶度和发光的影响
机译:开发用于可见光激光器和发光二极管的宽带隙II-VI材料。 A. ZnMgCdSe结构的双极掺杂和电致发光。 B.六角形ZnSe基结构
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高
机译:通过光致发光评估的GaN基激光二极管未掺杂GaN波导的外延生长的优化
机译:具有亚稳态GaInassb有源层和alGaassb包层的3倍微米发射双异质结构二极管激光器