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机译:结合量子和半经典输运的多尺度方法对小型化GaN双异质结高电子迁移率晶体管进行完整的几何模拟
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China,Crosslight Software Inc. China Branch, Suite 906, Building JieDi, 2790 Zhongshan Bei Road, Shanghai 200063, China;
Crosslight Software Inc. China Branch, Suite 906, Building JieDi, 2790 Zhongshan Bei Road, Shanghai 200063, China;
Crosslight Software Inc. China Branch, Suite 906, Building JieDi, 2790 Zhongshan Bei Road, Shanghai 200063, China;
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China;
HEMT; Quantum ballistic transport; Drift-diffusion; NEGF; Multiscale approach; Mesoscopic; Simulation; Apsys;
机译:通过外延层应力工程提高AlN / GaN / AlN双异质结高电子迁移率晶体管中的2D电子迁移率
机译:AlGaN / GaN / InGaN / GaN双异质结高电子迁移率晶体管中的界面散射分析
机译:AlGaN / GaN / InGaN / GaN双异质结高电子迁移率晶体管中的界面散射分析
机译:新型AlGaN / GaN / AlGaN双异质结高电子迁移率晶体管可提高性能
机译:通过基于Monte Carlo粒子的器件仿真对GaN高电子迁移率晶体管和热电子晶体管进行建模和设计。
机译:具有铜填充结构的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的热分析和工作特性:仿真研究
机译:一种高电子迁移率晶体管中量子输运的自洽数值方法;第二部分:全量子传输
机译:GaN-ON-siC和GaN-ON-DIamOND高电子迁移率晶体管(HEmT)器件中声子传输的测量。