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机译:目标偏压对双极性脉冲PBII / D沉积DLC薄膜电导率的影响
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Shimoshidami, Moriyama-ku, Nagoya 463-8560, Japan;
PBII; DLC; resistivity; hardness;
机译:掺Si对PBII&D双极性脉冲沉积DLC薄膜热学和摩擦学性能的影响
机译:双极脉冲电压对电感耦合PECVD沉积DLC薄膜性能的影响
机译:正负脉冲电压对双极型等离子体离子注入制备的DLC薄膜微观结构的影响
机译:通过PBII和RF-CVD方法沉积的添加元素的DLC膜的ESR研究
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机译:脉冲激光沉积LaNi5纳米薄膜的电导率和光学性质
机译:聚氨酯基材预处理对脉冲阴极弧沉积DLC膜的影响