机译:MeV质子注入引起的Si剥落
CEA-Leti, MINATEC Campus, 17, rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France;
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CEA-INAC, 17, rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France;
CEA-Leti, MINATEC Campus, 17, rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France;
CEMHTl-CNRS, 3A, rue de la Ferollerie, 45071 Orleans, France;
smart cut; implantation; blistering; delamination; silicon;
机译:植入1.15-MEV质子的N型SI的导磁率和电阻率曲线
机译:通过将30 MEV回旋质子束注入概念设计的医用质子同步加速器中提取250 MeV质子束
机译:n-FZ-Si:P晶体中0.9-MeV电子和15-MeV质子产生的热稳定正电子敏感性复合物的原子构型相似性
机译:8 MeV质子极大流量对Al植入产生的SiC核检测器特征的影响
机译:0.4和铀M壳X射线产生的横截面,用于0.4–4.0 MeV质子,0.4–6.0 MeV氦离子,4.5–11.3 mev碳离子和4.5–13.5 MeV氧离子
机译:CVD金刚石至70meV质子快节中子和200meV接头的辐射耐受性研究
机译:使用Bonner球体光谱仪测量246-MEV和389-MEV质子产生的屏蔽后屏蔽后面的盾牌