机译:存在钨沉积时增强的模糊钨生长
Department of Electrical Engineering and Electronics University of Liverpool Brownlow Hill Liverpool L69 3GJ United Kingdom of Great Britain and Northern Ireland;
Graduate School of Engineering Nagoya University Furo-cho Nagoya 464-8603 Japan;
Imaging Centre at Liverpool University of Liverpool Liverpool L69 3GL United Kingdom of Great Britain and Northern Ireland;
helium; fuzzy tungsten; magnetron sputtering;
机译:超长氧化钨钠和氧化钨纳米线的生长:杂质和残留物沉积的影响
机译:钨纤维增强钨复合材料钨化学气相沉积的建模与验证
机译:纯CH {sub} 4沉积方法结合离子束辅助沉积和等离子增强化学气相沉积,改善了碳膜覆盖的不锈钢和碳化钨基底的磨损
机译:等离子体增强原子层沉积钨膜的前体吸附机理,生长特性和电性能通过使用氧化钨前体沉积钨膜
机译:使用PVD两步氮化钛阻挡层工艺的优势,以及由于钨膜的不均匀性,钨膜沉积产生的残留副产物对工艺集成的影响。
机译:可扩展合成少数层2D钨丁烯烯(2h-wse2)纳米胸底直接在钨(w)箔上生长使用环境压力化学气相沉积来反转锂离子贮存
机译:钨纤维增强钨复合材料钨化学气相沉积的建模与验证
机译:六氟化钨(WF 6)沉积钨二氧化钨(W-UO2)复合材料的钨包层,任务1