机译:晶体管Si结构对P型通道电导率的影响
Russian Acad Sci Kotelnikov Inst Radio Engn & Elect Fryazino Branch Fryazino 141190 Moscow Oblast Russia;
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机译:等离子体氟化对P型通道锡氧化物薄膜晶体管的影响
机译:最终p型双栅晶体管的多带量子传输模拟:沟道方向的影响
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机译:分子结构和形态影响聚合离子液体均聚物和嵌段共聚物中的离子电导率
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:通过离子交换膜基于外部离子浓度极化的高通量离子二极管离子晶体管和离子放大器:新的可扩展离子电路平台
机译:沟道电场分布对alGaN / alN / GaN异质结构场效应晶体管中极化库仑场散射的影响