窒化ガリウムベース強磁性半導体における格子欠陥および不純物に関する理論研究

摘要

「格子欠陥の影響」，「不純物同時ドーピングのrn効果」および「Crの拡散過程」を検討した結果,rnT_c向上のためにはN過剰雰囲気で試料を作製すれrnばよいことを見出した。N空孔はCrと対を形成しrnやすく，そのようなCr-N空孔対は強磁性相互作用rnを弱化する。