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【24h】

低温p-Si TFTの電気特性を左右する要因を徹底解明

机译:彻底阐明影响低温p-Si TFT电气特性的因素

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摘要

「アモルファスSi(a-Si)TFTのしきい電rn圧剃静は園難だが∴低潟多結晶Si(p-Si)rnTFTはLSIと同様に制御できる」と一般にrn言われていた。筆者が1999年にエステイ・rnエルシーディに出向し,日々歩留まり改rn善に取り組む中で分かったことは,しきrnい電圧はわれわれの手中にないところでrn制御されていることだった。この要因をrn分析し,しきい電圧制御をいかに手中にrnするかが課題だった。
机译:人们普遍说“非晶硅(a-Si)TFT的阈值电压rn刮削很困难,但是可以用与LSI相同的方式控制∴低门多晶Si(p-Si)rn TFT”。当我于1999年被送往Estay rn Elcidi从事提高产量和改善好天气的工作时,我发现,是因为阈值电压在我们的控制范围之外。问题是如何通过rn分析这个因素以及如何控制阈值电压。

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  • 来源
    《日経マイクロデバイス》 |2008年第272期|94-95|共2页
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