ポストDRAMの座を狙う新型RAMの開発競争が激化

摘要

DRAM代菅を狙う新型RAMの開発朝争が激化している。LSlメーカー各社がrnDRAM代替に向けて注力するメモリーは，SOI（silicon on insulator）基板を使rnったキャパシタレスDRAM （SOI型RAM）,MRAM（magnetoresistive RAM），rnPRAM（phasechange RAM），ReRAM（resistive RAM）である。これらの新型rnRAMの集積度や動作速度をDRAM並みに高める手法が，ここに来て相次いでrn出てきた。連載の第4回は，こうした新型RAMの開発の最新動向を紹介する。