量産ウエハーにおけるヘイズ欠陥の早期検出

摘要

193nm DUVリソグラフィーはレチクル上でへイズ欠陥と呼ばrnれる光化学反応による結晶欠陥の成長を加速させる。へイズrn欠陥の形成が進むとレチクルが劣化し、露光を繰り返す度に忠rn実なパターン転写が難しくなり、やがてデバイス歩留まりにも影響rnを与える（図1）。へイズ欠陥の成長は予測が難しく、発現時期もrn数日から数週間とばらつきが大きい。