EUV露光によるチップ試作が相次ぐ16nm世代での実用化に現実味

摘要

次世代露光技術として本命視されているrnEUV（extreme ultraviolet）露光の開発が加速しrnてきた。16nm世代のロジックLSIが量産化されrnる2013～2014年での実用化が見えてきた。rnこの状況を象徴するように，EUV露光によるrnチップ試作結果の報告が相次いでいる（図1）。rn米Advanced Micro Devices,Inc.（AMD）と米rnIBM Corp.らのグループがロジックLSI，韓国rnSamsung Electronics Co.,Ltd.がDRAMの試rn作結果を，2009年2月の「SPIE Advanced Li-rnthography 2009」でそれぞれ披露した。東芝rnなど国内LSIメーカーが参加する半導体先端テrnクノロジーズ（Selete）も，実チップの前段階とrnなるプロセス評価用チップ（TEG:test elementrngroup）を試作した。