新たな材料の活用と集積化が進化のカギに応用システムの1パッケージ化も進行

摘要

パワー半導体は、高耐圧向けのIGBTや低耐圧向けのMOSFETを中心に、今後も進化を続けていく見通しである。進化の方向性は2つある。ひとつは、パワー半導体デバイスそのものの進化。Si製デバイスのさらなる技術革新とともに、GaNやSK:といった新たな材料によって実現する。もうひとつは、パッケージやモジュールでの集積化である。