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SMIC achieves silicon success with high-performance 45 nm process

机译:中芯国际通过高性能45纳米工艺获得成功的芯片

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摘要

The Semiconductor Manufacturing International Corp (SMIC) of China has completed its first 45 nm high-performance GP (generic process with high performance) yield lot.rnThe high-speed, high-performance 45 nm GP technology integrates a silicon-germanium stress module ino the design, letting the device run faster. This makes it suitable for a number of applications, including system-on-chip, graphics and network processors, telecommunications and wireless consumer products, as well as serving as a technology platform for the fast-growing Chinese market.
机译:中国半导体制造国际公司(SMIC)已完成其首个45纳米高性能GP(高性能通用工艺)良率测试。高速,高性能45纳米GP技术集成了硅锗应力模块。设计,使设备运行更快。这使其适用于多种应用,包括片上系统,图形和网络处理器,电信和无线消费类产品,以及作为快速发展的中国市场的技术平台。

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    《New Materials Japan》 |2009年第8期|3-4|共2页
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