机译:逆理论中的一维电流源密度(CSD)估计:正交和扩展型CSD方法的高阶谱正则化的统一框架
McConnell Brain Imaging Center, Montreal Neurological Institute, Department of Neurology and Neurosurgery, McGill University, Montreal, QC, H3A 2B4, Canada pascal.kropf@mail.mcgill.ca;
机译:离子扩散可以在电流源密度(CSD)分析中引入寄生电流源
机译:使用密度泛函理论计算低成本估算CCSD后激发对总雾化能量的贡献
机译:涉及Criegee中间体的反应动力学和热力学:通过与CCSDT(Q)/ CBS数据的比较,对密度泛函理论和AB初始方法的评估
机译:敏感性理论方法和逆建模估算源参数和风险/漏洞区域
机译:离子扩散可能会在电流源密度(CSD)分析中引入杂散电流源
机译:涉及Criegee中间体的反应动力学和热力学:通过与CCSDT(Q)/ CBS数据的比较进行密度泛函理论和AB Initio方法的评估