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机译:写脉冲和工艺变化对基于22nm FinFET的STT-RAM设计的影响:器件-架构协同优化方法
Hewlett Packward Labs, 1501 Page Mill Rd., Palo Alto, CA;
Analytical Model; FinFET; Hardware; Memory Structures; Non-volatile Memory; Process Variation; STT-RAM; Simulation; analytical model; memory structures; non-volatile memory; process variation; simulation;
机译:可变能量写入STT-RAM体系结构的耐变化的写入完成电路
机译:基于FinFET的SRAM的稳健设计的器件电路协同优化
机译:具有读取缓冲器的22nm FinFET SRAM设计,用于近阈值电压操作
机译:低功耗嵌入式系统基于STT-RAM的存储器的设备架构协同优化
机译:探索多处理器设计空间,以分析在存储器层次结构中使用STT-RAM的影响。
机译:化学计量学方法比较通过脉冲电场高压和热巴氏杀菌处理的苹果汁保质期内的挥发性变化
机译:加工和电路设计的快速共同优化以克服 碳纳米管变化
机译:当污染物运输受限速吸附影响时含水层修复的最佳脉冲泵送:变异法的微积分