首页> 外文期刊>Multi-Scale Computing Systems, IEEE Transactions on >An Adjacent-Line-Merging Writeback Scheme for STT-RAM-Based Last-Level Caches
【24h】

An Adjacent-Line-Merging Writeback Scheme for STT-RAM-Based Last-Level Caches

机译:基于STT-RAM的末级缓存的相邻行合并回写方案

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

Spin-Transfer Torque RAM (STT-RAM) has attracted attention as a key element for the Last-Level Cache (LLC) of a future microprocessor. Since STT-RAM has a higher density than SRAM and non-volatility, STT-RAM can contribute to building the cache memory wit
机译:自旋传递扭矩RAM(STT-RAM)作为未来微处理器的最后一级缓存(LLC)的关键要素而受到关注。由于STT-RAM具有比SRAM高的密度和非易失性,因此STT-RAM有助于构建高速缓存

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号