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机译:GaN-on-SiC HEMT技术中的超低相位噪声和大功率集成振荡器的设计
GaN-on-SiC; high electron-mobility transistor (HEMT); integrated oscillator and ultra-low noise;
机译:0.25 µm GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管技术中具有低相位噪声和中等输出功率的振荡器的设计
机译:X波段超低相位噪声GaN HEMT腔谐振器的相位噪声分析
机译:完全集成的RF通信系统技术的RF低功耗低相位噪声CMOS环形振荡器的设计与分析
机译:0.25μmGaN-on-SiC HEMT技术中的振荡器设计,用于远程遥感应用
机译:低压,低相位噪声和宽调谐范围的集成振荡器设计。
机译:用于MICS收发器的低功耗低相位噪声振荡器
机译:用于超低相位噪声的多核振荡器的分析和设计