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28-GHz Passive Frequency Tripler With n-Type Varactors in 45-nm SOI CMOS

机译:28-GHz被动频率三倍体,具有45-NM SOI CMOS中的n型变容二

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摘要

A 28-GHz passive frequency tripler for 5G New Radio (NR) is demonstrated in 45-nm SOI CMOS. A symmetric antiparallel pair of series varactor (SAPSV) topology is proposed to reduce the conversion loss (CL) and increase the output power by realizing symmetric C-V curves with only n-type varactors and simplified dc biasing. Compact on-chip LC networks provide 13.6- and 20.1-dBc rejection for fundamental and second harmonics, respectively, from 27.1 to 32.4 GHz (17.8%). The measured minimum CL is 24.3 dB, and the maximum output power is -8 dBm. Conversion loss variation is not more than 3 dB when the input power range varies from 8 to 20 dBm. The tripler only adds a 9.66-dB integrated phase noise measured from 1 to 100 kHz at 28.95 GHz.
机译:用于5G新型无线电(NR)的28GHz被动频率三倍体以45-NM SOI CMOS演示。提出了一种对称反平行的串联变容二极管(SAPSV)拓扑,以减少转换损耗(CL),并通过仅实现具有N型变容器的对称C-V曲线和简化的直流偏置来增加输出功率。 Compact In-Chop LC网络分别为基本和第二次谐波提供13.6-20.1dBc,分别从27.1到32.4 GHz(17.8%)。测量的最小CL为24.3dB,最大输出功率为-8 dBm。当输入功率范围从8到20 dBm变化时,转换损耗变化不大于3 dB。三倍体仅在28.95GHz处增加了从1到100 kHz测量的9.66-dB集成相位噪声。

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