机译:28-GHz被动频率三倍体,具有45-NM SOI CMOS中的n型变容二
Univ Calgary Dept Elect & Comp Engn Calgary AB T2N 1N4 Canada;
Univ Calgary Dept Elect & Comp Engn Calgary AB T2N 1N4 Canada;
Univ Calgary Dept Elect & Comp Engn Calgary AB T2N 1N4 Canada;
5G New Radio (NR); 28 GHz; frequency tripler; integrated phase noise (IPN); SOI CMOS; varactor;
机译:具有3.7dB NF和−30dBc EVM,具有64-QAM / 500MBaud调制的45-nm CMOS SOI中的5G 28-GHz共腿T / R前端
机译:D波段宽带无源三倍,使用反平行二极管连接的NMOS晶体管对在22-NM CMOS SOI中
机译:16条路径全无源谐波抑制混频器,具有45nm CMOS SOI中的瓦特级内IIP3
机译:具有45nm SOI CMOS中耦合耦合器中和功能的28GHz,18dBm,48%PAE堆叠式FET功率放大器
机译:完全兼容CMOS的RF变容二极管和MUMPs变容二极管的设计和建模。
机译:采用0.18μmCMOS技术的超低功耗RFID / NFC前端IC用于无源标签应用
机译:用于平行板RF MEMS变容二极管的CMOS电压至频率线性化预处理器