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机译:用于开关模式电路分析和设计的专用大信号GaN HEMT模型
Inverse class-F; power added efficiency (PAE); power amplifier (PA); switch-based model; switching-mode amplifier;
机译:GaN HEMT的大信号建模方法,用于射频开关模式功率放大器设计
机译:适用于RF开关模式功率放大器设计的AlGaN / GaN HEMT的大信号模型
机译:用于微波开关电路设计的HEMT大信号模型
机译:关于RF开关模式功率放大器设计的Algan / GaN HEMT的大信号建模
机译:开关模式非线性电路的设计和稳定性分析技术:功率放大器和振荡器。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:动态大信号I-V分析和 ud的非线性建模ALGAN / GAN HEMTS
机译:GaN-HEmT的先进大信号建模。