机译:采用体偏置技术的90 nm CMOS工艺低损耗高隔离度DC-60 GHz SPDT行波开关
Dept. of Electr. Eng., Nat. Central Univ., Jhongli, Taiwan;
CMOS; microwave; millimeter-wave; switch; traveling wave;
机译:采用90 nm CMOS的低损耗50-70 GHz SPDT开关
机译:在90nm CMOS中使用负栅极/基极偏置的75–110GHz W波段高线性行波T / R开关
机译:采用0.13μmCMOS工艺的紧凑型低损耗高隔离度DC-45GHz SPST开关
机译:在45nm SOI中具有2.5dB插入损耗的DC-60 GHz CMOS SPDT开关
机译:IBM 90nm CMOS工艺中用于22--29GHz UWB车载雷达系统的模拟相关器设计。
机译:低功耗开关电阻带通滤波器用于130nm CMOS中的神经记录通道
机译:设计3.1-6.0 GHz CMOS超宽带低噪声放大器,用于无线应用前体偏置技术
机译:采用90nm CmOs技术的205GHz放大器。