机译:通过LPE和MOVPE技术在GaAs衬底上生长的InGaP层的光致发光的比较研究
Instituto de Ciencias, BUAP, Apartado Postal 207, 72000 Puebla, Pue., Mexico;
liquid phase epitaxy; MOVPE; Ⅲ-Ⅴ semiconductors; photoluminescence;
机译:通过LPE技术在GaAs衬底上生长的InGaP层的结构和光学特性
机译:通过AP-MOVPE通过AP-MOVPE在(001)和(11N)GaAs基材上生长的GaN层性质的影响:对比研究
机译:载气 上生长 在 ( 001) 在GaN 层 性能的影响 和 ( 11N ) 由 AP- MOVPE GaAs衬底 : 比较研究
机译:他对MOVPE生长的GaAs / InGaP / InGaAsP层进行注入-损伤隔离
机译:通过自助分子束外延生长核心壳GaAs / Gaassb纳米线的微光致发光(MU-PL)研究
机译:GaAs(210)衬底上生长的多层InGaAs纳米结构
机译:低压MOVPE液体源生长的InGaP / GaAs多量子阱中界面性质的研究