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发光二极管; 砷化镓; 硫化锌; MOVPE;
机译:在GaAs衬底上用MOVPE制备BGaAs层
机译:使用选择性区域MOVPE在GaAs(1 1 1)A衬底上制备和表征GaAs二维气孔阵列
机译:MOVPE表征在图案化(001)GaAs衬底上制备的波纹MQW异质结构
机译:MOVPE在Ge / Si衬底上单片生长的InGaAs / GaAs源
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:在非晶态衬底上大规模均匀制备纯相纤锌矿GaAs NWs
机译:MOVPE法在(001)InP衬底上制备和表征InAs / GaAs纳米结构
机译:在单片Gaas / si衬底上制备的Gaas / alGaas二极管激光器的室温操作
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:p-GaAs衬底上的Zn1-xMgxSySe1-y pin光电二极管和p-GaAs衬底上的Zn1-xMgxSySe1-y雪崩光电二极管
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