机译:NpN InP / GaAsSb / InP双异质结双极晶体管的直流特性与温度的关系:分析研究
School of Electrical and Electronics Engineering, Microelectronics Centre, Nanyang Technological University, Singapore 639798, Republic of Singapore;
InP/GaAsSb HBTs; current mechanisms; current gain; temperature dependence;
机译:InAlAs-InP / GaAsSb / InP双异质结双极晶体管的温度依赖性研究
机译:InP-lnAIAs复合发射极抑制InP / GaAsSb双异质结双极晶体管的表面重组
机译:Ⅱ型InP / GaAsSb / InP双异质结双极晶体管的二维仿真
机译:InP / GaAsSb双异质结双极晶体管的直流特性与温度的关系的分析研究
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:深能级陷阱及其对InP / InGaAs异质结构电流特性影响的研究
机译:使用InP-GaAsSb-InP双异质结双极晶体管测量磷化铟的电子引发的碰撞电离系数
机译:Inp / Gaassb / Inp双异质结双极晶体管。