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机译:4H-SiC大功率RF MESFET在3.1 GHz时的记录增益
Islamic Azad University, Mahdishahr Branch, Semnan, Iran;
4h-sic; mesfet; l-gate; source field plate; cain; frequency;
机译:4H-SiC MESFET在1.8 GHz时的功率密度为2.8 W / mm
机译:离子注入In / sub x / Ga / sub(1-x /)As / GaAs MESFET的60 GHz功率性能
机译:具有平坦增益和功率响应的5-10 GHz 15W GaAs MESFET放大器
机译:使用MESFET在2.7GHz〜3.1 GHz的功率放大器设计
机译:非线性器件表征和二次谐波阻抗调谐,可在2GHz时实现碳化硅功率MESFET器件的峰值性能。
机译:改进的DRUS 4H-SiC MESFET具有高功率附加效率
机译:使用MESFET在2.7GHz〜3.1 GHz的功率放大器设计