机译:使用SiC MESFET的5.15-5.35 GHz频带10 W功率放大器
机译:35 GHz GaAs功率MESFET和单片放大器
机译:适用于3.6 GHz-3.8 GHz WiMAX应用的SiC MESFET功率放大器
机译:使用MESFET在2.7GHz〜3.1 GHz的功率放大器设计
机译:8GHz的高功率和高效Doherty功率放大器设计,无人机应用
机译:适用于2.5 GHz至6 GHz干扰器系统的紧凑型20W GaN内部匹配功率放大器
机译:使用碳化硅MESFET的超宽带5 W混合功率放大器设计
机译:Gaas mmIC混频器,用于8-12GHz,基于0.5微米栅极长度的D-mEsFETs。第1卷。设计和布局(Gaas mmIC混频器,8-12GHz,Gerealiseered met 0,5微米栅极冷却D-mEsFET.selel 1. Ontwerp en Layout)。