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机译:亚阈值和强反转区域中的矩形栅极(RecG)全方位栅(GAA)MOSFET的3D电势分布的解析模型
Nanoscale Devices, VLSI/ULSI Circuit and System Design Lab., Electrical Engineering Discipline, School of Engineering, Indian Institute of Technology (IIT),Indore 452017, Madhya Pradesh, India;
Nanoscale Devices, VLSI/ULSI Circuit and System Design Lab., Electrical Engineering Discipline, School of Engineering, Indian Institute of Technology (IIT),Indore 452017, Madhya Pradesh, India;
rectangular gate (RecG); gate-all-around (GAA) MOSFET; potential; characteristic length; subthreshold and strong inversion regions;
机译:亚阈值区域下短通道全栅MOSFET的解析量子约束模型
机译:固有的纳米级环绕栅MOSFET的解析但连续的表面电势与电压方程式以及从累积到强反转区域的解决方案
机译:掺杂对称双栅MOSFET从累积到强反转区域的连续分析沟道电势解决方案
机译:基于同构多项式的环绕栅全栅MOSFET 3D电位分布的精确解析模型
机译:使用BSIM3v3进行超低功耗电路设计的MOSFET亚阈值区域建模。
机译:理论支架植入物产生的局部血管几何结构变化影响壁切应力分布:使用3D计算流体动力学模型分析弯曲的冠状动脉
机译:三材料圆柱型全栅(TM-CGAA)MOSFET的亚阈值分析
机译:强反型mOsFET的简单分析模型