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机译:用于FinFET晶体管图案化的HSQ电子束光刻的优化
Institut d'Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, IEMN, Departement ISEN, CNRS UMR 8520, Avenue Poincare, BP 60069, 59652, Villeneuve d'Ascq Cedex, France;
hydrogen silsesquioxane resist; HSQ; E-beam lithography; TMAH; multiple-gate transistors; FinFET transistors;
机译:电子束光刻技术定义的Hsq纳米线对Si纳米线场效应晶体管的稳定性
机译:纳米图形高能电子束光刻的仿真-电子束光刻模拟器的发展
机译:纳米图形高能电子束光刻的仿真-电子束光刻模拟器的发展
机译:通过设计的线CD /间距分割辅助电子束剂量邻近效应校正的亚14 nm HSQ线图案
机译:低能电子束辐照对分离门测试结构上石墨烯和石墨烯场效应晶体管的影响以及石墨烯的拉曼计量。
机译:CUO / PMMA聚合物纳米复合材料作为电子束光刻的新型抗蚀剂材料
机译:通过电子束光刻图案化并通过干法蚀刻定义的TiN / Ni纳米点阵列上单个碳纳米管的生长,用于场发射应用