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机译:具有纳米自热通道结构的相变存储器件的制备和电学表征
Convergence Component & Material Research Laboratory, Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), 161 Gajeong-dong, Yuseong-gu, Daejoen 305-350, Republic of Korea;
nonvolatile memory; ge-sb-te(gst); self-heating; phase-change;
机译:以硅纳米晶为存储器件的MOS结构的电学表征:AFM的纳米尺度方法
机译:使用富含Sb的Ge-Sb-Te合金膜的非易失性相变存储器件的电学表征
机译:基于Si-nc的存储金属氧化物半导体器件的纳米级电学表征
机译:P(VDF / TrFE)(72/28)共聚物为基础的非易失性存储器件的制造和电学研究,随器件结构的变化而变化
机译:纳米级多铁性异质结构的制备和性能,用于磁电随机存取存储器(MERAM)。
机译:石墨烯/氮化硼纳米片异质结构隧穿装置的合成表征与制备
机译:双功能纳米级使用相变材料:具有非易失性阻力变化存储器特性的可重新配置的完美吸收器